Главная Продукты

Растущие одиночные кристаллы

Просмотрения клиента
Ваша компания имеет очень профессиональную команду продаж быть испытанным в этом поле, смотря вперед к больше возможностей работать с

—— Катеы Монтгомери

Во время 6 лет сотрудничества, мы будем стратегическим партнером и друзьями. Я получил ваш подарок и очень славно! Спасибо так много для что!

—— Иванка Тодоров

Оставьте нам сообщение

Растущие одиночные кристаллы

(15)
Китай ПОСЛЕДНИЙ растущий субстрат О3 одиночных кристаллов не зреет никакой перовскит Кристл близнецов завод

ПОСЛЕДНИЙ растущий субстрат О3 одиночных кристаллов не зреет никакой перовскит Кристл близнецов

ПОСЛЕДНИЙ субстрат одиночного кристалла (Ла, старший) (Ал, животики) О3 зрелое отсутствие кристалла перовскита близнецов Интрудуктион Брайф ПОСЛЕДНЕГО субстрата одиночного кристалла (Ла, старший) (Ал, животики) ... Read More
2018-12-20 14:08:47
Китай Н.Б. дало допинг субстрату кремния одному СрТиО3 одиночного Кристл/обе отполированной стороны завод

Н.Б. дало допинг субстрату кремния одному СрТиО3 одиночного Кристл/обе отполированной стороны

Данный допинг Н.Б. субстрат одиночного кристалла СрТиО3 снабжает электрод фильмы и приборы Интрудуктион Брайф Н.Б. дало допинг субстрату одиночного кристалла СрТиО3 Ниобий дал допинг титанату стронция и кристал... Read More
2018-12-20 14:08:47
Китай Метод данный допинг Фе субстрата СрТиО3 одиночного Кристл Вернеуйл роста кубическое А=3.905Å завод

Метод данный допинг Фе субстрата СрТиО3 одиночного Кристл Вернеуйл роста кубическое А=3.905Å

Фе дал допинг СрТиО3 одиночному Кристл с кристаллической структурой кубического а=3.905Å Типичные физические свойства Фе дали допинг СрТиО3 одиночному Кристл Кристаллическая структура   Кубическое а=3.905Å Дава... Read More
2018-12-20 14:08:47
Китай Дя отполированный стороной 4" вафли одного Си одиночных кристаллов Пт/Ти/СиО2/Си растущей кс 0.5мм завод

Дя отполированный стороной 4" вафли одного Си одиночных кристаллов Пт/Ти/СиО2/Си растущей кс 0.5мм

Вафля Пт/Ти/СиО2/Си одиночная кристаллическая с вафлей Си и дя 4" кс 0,5 мм Типичные физические свойства вафли Пт/Ти/СиО2/Си одиночной кристаллической Слой Пт: 150 нм Слой ти: 20 нм Слой СиО2: 300 нм Вафля П-т... Read More
2018-12-20 14:08:47
Китай Применение тонкого фильма одиночных кристаллов субстрата КТаО3 растущее сверхпроводящее завод

Применение тонкого фильма одиночных кристаллов субстрата КТаО3 растущее сверхпроводящее

Субстрат КТаО3 одиночного Кристл в применении сверхпроводящего тонкого фильма Интрудуктион Брайф субстрата КТаО3 одиночного Кристл Кристалл Танталате калия одиночный новый Н тип кристалла перовскита и структур... Read More
2018-12-20 14:08:47
Китай 99,99% структура пункта Мельт очищенности ИСЗ одиночного Кристл 2500°К высокотемпературная сверхпроводящая завод

99,99% структура пункта Мельт очищенности ИСЗ одиночного Кристл 2500°К высокотемпературная сверхпроводящая

ИСЗ одиночное Кристл для высокотемпературной сверхпроводящей технологии структуры Интрудуктион Брайф ИСЗ одиночного Кристл Мы добавляем иттрий (ы) в кристалл окиси циркония одиночный для того чтобы стабилизиров... Read More
2018-12-20 14:08:47
Китай Плотность 6.1г/мл одиночного Кристл КАС 25617-97-4 кремниевой пластины нитрида галлия ГаН завод

Плотность 6.1г/мл одиночного Кристл КАС 25617-97-4 кремниевой пластины нитрида галлия ГаН

Вафля КАС 25617-97-4 нитрида галлия ГаН одиночная кристаллическая с плотностью 6.1г/мЛ Типичные физические свойства вафли нитрида галлия ГаН одиночной кристаллической 2" шаблоны ГаН Деталь ГаН-Т-Н ГаН-Т-С Разме... Read More
2018-12-20 14:08:47
Китай Субстрат кристаллов окиси МгО Мньесюм для Ферроелектрик/оптически тонкого фильма завод

Субстрат кристаллов окиси МгО Мньесюм для Ферроелектрик/оптически тонкого фильма

Субстрат одиночного Кристл окиси МгО Мньесюм для ферроелектрик, магнитного, оптически тонкого фильма Интрудуктион Брайф субстрата одиночного Кристл окиси МгО Мньесюм В настоящей индустрии, это важный высокотем... Read More
2018-12-20 14:08:47
Китай Окись растущего магния субстратов одиночных кристаллов МгАл2О4 алюминиевая шпинелевая для оптически/электронного завод

Окись растущего магния субстратов одиночных кристаллов МгАл2О4 алюминиевая шпинелевая для оптически/электронного

Кристаллические пользы алюмината МгАл2О4 магния субстратов в оптически, электронных применениях Интродукатион Брайф субстратов алюмината МгАл2О4 Кристл магния МгАл2О4 относительно недорогой материал субстрата, ... Read More
2018-12-20 14:08:47
Китай Рост КЗ субстрата одиночного Кристл ГГГ с хорошими физическими/механическими свойствами завод

Рост КЗ субстрата одиночного Кристл ГГГ с хорошими физическими/механическими свойствами

Кристалл ГГГ одиночный с хорошими физическими и механическими свойствами и химической стойкостью Интрудуктион Брайф кристалла ГГГ одиночного (Гд3Га5О12) одиночный кристалл особенный субстрат используемый для м... Read More
2018-12-20 14:08:47
Page 1 of 2|< 1 2 >|

Контакт

Адрес: Рм 1712-1715, Но.88, Сибао Рд, Шанхай, Китай